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IXSH20N120L2KHV

Name: IXYS IXSH20N120L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSH20N120L2KHV
Price: 5.07 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-IXSH20N120L2KHV

N. produttore:

IXSH20N120L2KHV

Produttore:

IXYS

Descrizione:

MOSFET SiC SiC MOSFET in TO247-4L

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

IXSH20N120L2KHV Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	5,07 €	5,07 €
	3,83 €	38,30 €
	3,10 €	310,00 €
	2,74 €	1.233,00 €
	2,35 €	2.115,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	20 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	208 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 5 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.5 V
Qg - Carica del gate:	29 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	136 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	10.4 ns
Confezione:	Tube
Prodotto:	SiC MOSFETS
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	10.8 ns
Serie:	IXSxNxL2Kx
Quantità colli di fabbrica:	450
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	8.4 ns
Tipico ritardo di accensione:	2.8 ns

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IXSH20N120L2KHV Scheda dati (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET al carburo di silicio (SiC) IXSxNxL2Kx

I MOSFET in carburo di silicio (SiC) IXYS IXSxNxL2Kx hanno un'alta tensione di blocco con bassa resistenza in stato di conduzione [R_DS(ON)]. La resistenza in stato di conduzione è compresa tra 25 mΩ e 160 mΩ, e la corrente continua di scarico (I_D) è compresa tra 20 A e 111 A. Questi dispositivi offrono commutazione ad alta velocità con bassa capacità e hanno una diodo corporeo intrinseco ultraveloce. Sono disponibili con una tensione di uscita-sorgente (V_DSS) nominale di 650 V o 1.200 V. I MOSFET in carburo di silicio (SiC) IXYS IXSxNxL2Kx sono disponibili in tre involucri (TO-263-7L, TOLL-8 e TO-247-4L).