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IXFH90N65X3

Name: IXYS IXFH90N65X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH90N65X3
Price: 15.84 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-IXFH90N65X3

N. produttore:

IXFH90N65X3

Produttore:

IXYS

Descrizione:

MOSFET Discrete MOSFET 90A 650V X3 TO247

Scheda dati:

IXFH90N65X3 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	15,84 €	15,84 €
	9,89 €	98,90 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	90 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	33 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	5.2 V
Qg - Carica del gate:	95 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	960 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	10 ns
Transconduttanza diretta - Min:	38 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	11 ns
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	63 ns
Tipico ritardo di accensione:	28 ns

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ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza HiPerFET™ di classe X3

MOSFET di potenza HiPerFET™ di classe X3 di IXYS sono MOSFET ad arricchimento a canale N collaudati per l'effetto valanga. La classe X3 offre alta densità di potenza ed è facile da montare, il tutto in un package salvaspazio. I MOSFET di classe X3 IXYS sono ideali per alimentatori a commutazione e risonanti.