Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

IXFH54N65X3

Name: IXYS IXFH54N65X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH54N65X3
Price: 11.1 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

747-IXFH54N65X3

N. produttore:

IXFH54N65X3

Produttore:

IXYS

Descrizione:

MOSFET TO247 650V 54A N-CH X3CLASS

Scheda dati:

IXFH54N65X3 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su IXYS IXFH54N65X3

A magazzino: 625

A magazzino:: 625 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 41 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Le quantità superiori a 625 saranno soggette a requisiti di ordini minimi.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	11,10 €	11,10 €
	6,91 €	69,10 €
	6,77 €	812,40 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	54 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	59 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	5.2 V
Qg - Carica del gate:	49 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	625 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	7 ns
Transconduttanza diretta - Min:	23 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	10 ns
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	56 ns
Tipico ritardo di accensione:	23 ns

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

IXFH54N65X3 Scheda dati (PDF)

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza HiPerFET™ di classe X3

MOSFET di potenza HiPerFET™ di classe X3 di IXYS sono MOSFET ad arricchimento a canale N collaudati per l'effetto valanga. La classe X3 offre alta densità di potenza ed è facile da montare, il tutto in un package salvaspazio. I MOSFET di classe X3 IXYS sono ideali per alimentatori a commutazione e risonanti.