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IXFH46N65X3

Name: IXYS IXFH46N65X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH46N65X3
Price: 8.75 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-IXFH46N65X3

N. produttore:

IXFH46N65X3

Produttore:

IXYS

Descrizione:

MOSFET TO247 650V 46A N-CH X3CLASS

Scheda dati:

IXFH46N65X3 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	8,75 €	8,75 €
	6,13 €	61,30 €
	5,02 €	602,40 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	46 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	73 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	5.2 V
Qg - Carica del gate:	40 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	520 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	8 ns
Transconduttanza diretta - Min:	17 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	16 ns
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	48 ns
Tipico ritardo di accensione:	28 ns

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza HiPerFET™ di classe X3

MOSFET di potenza HiPerFET™ di classe X3 di IXYS sono MOSFET ad arricchimento a canale N collaudati per l'effetto valanga. La classe X3 offre alta densità di potenza ed è facile da montare, il tutto in un package salvaspazio. I MOSFET di classe X3 IXYS sono ideali per alimentatori a commutazione e risonanti.