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IXFA34N65X3

Name: IXYS IXFA34N65X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFA34N65X3
Price: 8.12 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-IXFA34N65X3

N. produttore:

IXFA34N65X3

Produttore:

IXYS

Descrizione:

MOSFET TO263 650V 34A N-CH X3CLASS

Scheda dati:

IXFA34N65X3 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	8,12 €	8,12 €
	4,48 €	44,80 €
	4,21 €	421,00 €
	4,04 €	2.020,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-263-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	34 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	100 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	5.2 V
Qg - Carica del gate:	29 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	446 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	6 ns
Transconduttanza diretta - Min:	13 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	10 ns
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	47 ns
Tipico ritardo di accensione:	24 ns

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IXFA34N65X3 Scheda dati (PDF)

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza HiPerFET™ di classe X3

MOSFET di potenza HiPerFET™ di classe X3 di IXYS sono MOSFET ad arricchimento a canale N collaudati per l'effetto valanga. La classe X3 offre alta densità di potenza ed è facile da montare, il tutto in un package salvaspazio. I MOSFET di classe X3 IXYS sono ideali per alimentatori a commutazione e risonanti.