Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

ISC073N12LM6ATMA1

Name: Infineon ISC073N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC073N12LM6ATMA
Price: 2.92 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

726-ISC073N12LM6ATMA

N. produttore:

ISC073N12LM6ATMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET IFX FET >100-150V

Scheda dati:

ISC073N12LM6ATMA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Infineon Technologies ISC073N12LM6ATMA1

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TDSON-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	120 V
Id - corrente di drain continua:	86 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	7.3 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.2 V
Qg - Carica del gate:	14.4 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	125 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	OptiMOS
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	5 ns
Transconduttanza diretta - Min:	45 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	3 ns
Quantità colli di fabbrica:	5000
Sottocategoria:	Transistors
Ritardo di spegnimento tipico:	18 ns
Tipico ritardo di accensione:	7 ns
Alias n. parte:	ISC073N12LM6 SP005586060

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

ISC073N12LM6ATMA1 Scheda dati (PDF)

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Germania
Paese di origine dell'assemblaggio:: Cina
Paese di diffusione:: Germania

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET di potenza OptiMOS™ 6

I MOSFET di potenza 6 OptiMOS™ di Infineon Technologies offrono l'innovazione all'avanguardia di nuova generazione e le migliori prestazioni della categoria. La famiglia di prodotti OptiMOS 6 utilizza la tecnologia a wafer sottile che consente notevoli vantaggi in termini di performance. Rispetto ai prodotti alternativi, i MOSFET di potenza OptiMOS 6 hanno una R_DS(ON) ridotta del 30% e sono ottimizzati per il raddrizzamento sincrono.

MOSFET a canale N OptiMOS™ 3

I MOSFET a canale N OptiMOS™3 di Infineon Technologies presentano una bassa resistenza in stato attivo in un package senza piombo SuperSO8. I MOSFET OptiMOS 3 incrementano la densità di potenza fino al 50% in ambito industriale, di consumo e delle applicazioni di telecomunicazione. OptiMOS™ 3 è disponibile in MOSFET a canale N da 40 V, 60 V e 80 V in package SuperSO8 e Shrink SuperSO8 (S3O8). Rispetto ai package a schema transistor (TO) standard, il SuperSO8 aumenta la densità di potenza fino al 50 per cento.

PRODOTTI IN PRIMO PIANO

INFINEON

MOSFET di potenza automotive OptiMOS ™ 7 da 100 V

Dispositivi avanzati a canale N progettati per la commutazione di potenza ad alta efficienza.

Maggiori informazioni

MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 da 60 V

Offre prestazioni superiori rispetto agli OptiMOS 5 grazie alla robusta tecnologia dei MOSFET di potenza.

Maggiori informazioni

MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 25 V

Prestazioni ottimizzate per l'applicazione, che consentono prestazioni di picco per data center, server e IA.

Maggiori informazioni

MOSFET di potenza OptiMOS™ 8

Si tratta di MOSFET a canale N di livello normale da 80 V o 100 V con resistenza di accensione molto bassa [RDS_(ON)].

Maggiori informazioni

MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 80 V

Dispositivi a canale N da 80 V, di livello standard, con resistenza termica superiore, in package PG‑TDSON‑8.

Maggiori informazioni

A magazzino: 10.246

A magazzino:: 10.246 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 52 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 5000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,92 €	2,92 €
	1,91 €	19,10 €
	1,32 €	132,00 €
	1,08 €	540,00 €
	1,05 €	1.050,00 €
	0,98 €	2.450,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 5000)
	0,98 €	4.900,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

ISC073N12LM6ATMA1

Produttore: Infineon Technologies

Descrizione: MOSFET IFX FET >100-150V

Caratteristiche tecniche

Documenti (1)

Scheda dati

Documenti ambientali

Conformità commerciale e del prodotto

Maggiori informazioni

MOSFET di potenza OptiMOS™ 6

MOSFET a canale N OptiMOS™ 3

Altri clienti hanno comprato anche

PRODOTTI IN PRIMO PIANO INFINEON

A magazzino: 10.246

Prezzi (EUR)

QuickView

Si è verificato un errore imprevisto.

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET IFX FET >100-150V

PRODOTTI IN PRIMO PIANO

INFINEON