IS66WVE2M16EBLL-70BLI

ISSI
870-66E2M16EBLL70BLI
IS66WVE2M16EBLL-70BLI

Produttore:

Descrizione:
SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

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Produttore Codice prodotto:
Imballaggio:
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Min:
1

Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
ISSI
Categoria prodotto: SRAM
RoHS::  
32 Mbit
2 M x 16
70 ns
Parallel
3.6 V
2.7 V
30 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
TFBGA-48
Marchio: ISSI
Tipo di memoria: SDR
Sensibili all’umidità: Yes
Tipo di prodotto: SRAM
Serie: IS66WVE2M16EBLL
Quantità colli di fabbrica: 480
Sottocategoria: Memory & Data Storage
Tipo: Asynchronous
Peso unità: 86 mg
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Attributi selezionati: 0

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TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542329000
USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232021
KRHTS:
8542321010
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.