IS66WV51216EBLL-55TLI

Name: ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI
Brand: ISSI
SKU: 870-66WV512EBLL55TLI
Price: 3.3 EUR
Availability: InStock

N. Mouser:

870-66WV512EBLL55TLI

N. produttore:

IS66WV51216EBLL-55TLI

Produttore:

ISSI

Descrizione:

SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns

Scheda dati:

IS66WV51216EBLL-55TLI Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ISSI
Categoria prodotto:	SRAM
RoHS::
Dimensioni memoria:	8 Mbit
Organizzazione:	512 k x 16
Tempo di accesso:	55 ns
Tipo di interfaccia:	Parallel
Tensione di alimentazione - Max.:	3.6 V
Tensione di alimentazione - Min.:	2.5 V
Corrente di alimentazione - Max:	28 mA
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 85 C
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Marchio:	ISSI
Sensibili all’umidità:	Yes
Tipo di prodotto:	SRAM
Serie:	IS66WV51216EBLL
Quantità colli di fabbrica:	135
Sottocategoria:	Memory & Data Storage
Peso unità:	2,870 g

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Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.