IS29GL128-70DLEB

ISSI
870-IS29GL128-70DLEB
IS29GL128-70DLEB

Produttore:

Descrizione:
NOR Flash 128Mb, 64 Ball BGA(9X9mm), 3V, RoHS, Lowest Sector Protected

Modello ECAD:
Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

A magazzino: 149

A magazzino:
149 Spedizione immediata
Tempo di consegna da parte della fabbrica:
14 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.
Minimo: 1   Multipli: 1   Massimo: 2
Prezzo Unitario:
-,-- €
Prezzo esteso:
-,-- €
Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
5,97 € 5,97 €

Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
ISSI
Categoria prodotto: NOR Flash
RoHS::  
SMD/SMT
BGA-64
IS29GL128
128 Mbit
2.7 V
3.6 V
45 mA
Parallel
16 M x 8/8 M x 16
8 bit/16 bit
Asynchronous
- 40 C
+ 105 C
Marchio: ISSI
Sensibili all’umidità: Yes
Tipo di prodotto: NOR Flash
Velocità: 70 ns
Quantità colli di fabbrica: 260
Sottocategoria: Memory & Data Storage
Peso unità: 1,826 g
Prodotti trovati:
Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo
Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.
Attributi selezionati: 0

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:
8542326100
CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542320040
USHTS:
8542320051
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.1.a

SPI NOR Flash ICs

ISSI SPI NOR Flash ICs are low voltage Serial Peripheral Interface NOR Flash Memory Devices offering features such as Double Data Rate (DTR/DDR) interface modes, SFDP support, and 2-cycle instruction input (QPI mode).

IS29GL128 NOR Flash Memory Devices

ISSI IS29GL128 NOR Flash Memory Devices offer a fast page access time of 20ns with a corresponding random access time as fast as 70ns. These memory devices feature a write buffer that allows a maximum of 32 words/64 bytes to be programmed in one operation. The IS29GL128 memory devices thus offer faster effective programming time than standard programming algorithms. These memory devices are ideal for embedded applications that require higher density, better performance, and low power consumption.