IR25601STRPBF
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto
Produttore:
Descrizione:
Driver di porta 2Ch 600V Half Bridge 60mA 10-20V 50ns
A magazzino: 1.283
-
A magazzino:
-
1.283 Spedizione immediataSi è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
-
Tempo di consegna da parte della fabbrica:
-
24 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.
Prezzi (EUR)
| Qtà | Prezzo Unitario |
Prezzo esteso
|
|---|---|---|
| Nastro tagliato / MouseReel™ | ||
| 1,33 € | 1,33 € | |
| 0,98 € | 9,80 € | |
| 0,886 € | 22,15 € | |
| 0,785 € | 78,50 € | |
| 0,738 € | 184,50 € | |
| 0,71 € | 355,00 € | |
| 0,703 € | 703,00 € | |
| Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500) | ||
| 0,657 € | 1.642,50 € | |
| 0,642 € | 3.210,00 € | |
Scheda dati
Application Notes
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- Gate driver application matrix - Every switch needs a driver (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- TARIC:
- 8542319000
- CNHTS:
- 8542399000
- CAHTS:
- 8542310000
- USHTS:
- 8542310075
- KRHTS:
- 8542311000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
- Paese di origine:
- Thailandia
- Paese di origine dell'assemblaggio:
- Thailandia
- Paese di diffusione:
- Taiwan
Italia
