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IQEH84NE2LM7UCGATMA1

Name: Infineon IQEH84NE2LM7UCGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH84NE2LM7UCGA
Price: 2.07 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-IQEH84NE2LM7UCGA

N. produttore:

IQEH84NE2LM7UCGATMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

IQEH84NE2LM7UCGATMA1 Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	2,07 €	2,07 €
	1,33 €	13,30 €
	0,912 €	91,20 €
	0,727 €	363,50 €
	0,693 €	693,00 €
	0,666 €	1.665,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 5000)
	0,666 €	3.330,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	25 V
Id - corrente di drain continua:	275 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	840 uOhms
Vgs - Tensione gate-source:	16 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	17.2 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	107 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	OptiMOS
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	AT
Tempo di caduta:	2.4 ns
Transconduttanza diretta - Min:	50 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	3 ns
Serie:	OptiMOS 7
Quantità colli di fabbrica:	5000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	18 ns
Tipico ritardo di accensione:	5.1 ns
Alias n. parte:	IQEH84NE2LM7UCG SP005960138

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Scheda dati

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 canale N

I MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 N-Channel di Infineon Technologies sono transistori ad alta prestazione a canale N progettati per applicazioni di conversione di potenza impegnative. Questi MOSFET offrono un'altissima resistenza al passaggio della corrente, una resistenza termica superiore e un eccellente rapporto Miller per la robustezza dv/dt. I MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 sono ottimizzati sia per le topologie di hard-switching e soft-switching e per FOMoss. Questi MOSFET sono testati al 100% contro gli effetti valanga e sono conformi alla direttiva RoHS. I MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 sono esenti da alogeni secondo la norma IEC61249‑2‑21.

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.