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IQEH50NE2LM7ZCGATMA1

Name: Infineon IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH50NE2LM7ZCGA
Price: 2.73 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-IQEH50NE2LM7ZCGA

N. produttore:

IQEH50NE2LM7ZCGATMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 Scheda dati (PDF)

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	2,73 €	2,73 €
	1,77 €	17,70 €
	1,30 €	130,00 €
	1,09 €	545,00 €
	0,929 €	929,00 €
	0,886 €	2.215,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 5000)
	0,861 €	4.305,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	25 V
Id - corrente di drain continua:	422 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	500 uOhms
Vgs - Tensione gate-source:	12 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.7 V
Qg - Carica del gate:	29 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	150 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	OptiMOS
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	5.2 ns
Transconduttanza diretta - Min:	100 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	2 ns
Serie:	OptiMOS 7
Quantità colli di fabbrica:	5000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	35 ns
Tipico ritardo di accensione:	5.9 ns
Alias n. parte:	IQEH50NE2LM7ZCG SP005927096

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Scheda dati

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 canale N

I MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 N-Channel di Infineon Technologies sono transistori ad alta prestazione a canale N progettati per applicazioni di conversione di potenza impegnative. Questi MOSFET offrono un'altissima resistenza al passaggio della corrente, una resistenza termica superiore e un eccellente rapporto Miller per la robustezza dv/dt. I MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 sono ottimizzati sia per le topologie di hard-switching e soft-switching e per FOMoss. Questi MOSFET sono testati al 100% contro gli effetti valanga e sono conformi alla direttiva RoHS. I MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 sono esenti da alogeni secondo la norma IEC61249‑2‑21.