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IPW95R130PFD7XKSA1

Name: Infineon IPW95R130PFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW95R130PFD7XKS
Price: 4.5 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-IPW95R130PFD7XKS

N. produttore:

IPW95R130PFD7XKSA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET HIGH POWER_NEW

Scheda dati:

IPW95R130PFD7XKSA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	4,50 €	4,50 €
	4,46 €	44,60 €
	2,74 €	68,50 €
	2,43 €	243,00 €
	2,29 €	549,60 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	950 V
Id - corrente di drain continua:	36.5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	130 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	141 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	227 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	3.6 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	14 ns
Serie:	IPW95R130PFD7
Quantità colli di fabbrica:	240
Sottocategoria:	Transistors
Ritardo di spegnimento tipico:	118 ns
Tipico ritardo di accensione:	25 ns
Alias n. parte:	IPW95R130PFD7 SP005547004

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Scheda dati

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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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