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IPD220N06L3GATMA1

Name: Infineon IPD220N06L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD220N06L3GATM1
Price: 1.01 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-IPD220N06L3GATM1

N. produttore:

IPD220N06L3GATMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET IFX FET 60V

Scheda dati:

IPD220N06L3GATMA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,01 €	1,01 €
	0,64 €	6,40 €
	0,424 €	42,40 €
	0,335 €	167,50 €
	0,304 €	304,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,261 €	652,50 €
	0,234 €	1.170,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	60 V
Id - corrente di drain continua:	30 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	22 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.2 V
Qg - Carica del gate:	7 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	36 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Infineon Technologies
Tempo di caduta:	3 ns
Transconduttanza diretta - Min:	16 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	3 ns
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	19 ns
Tipico ritardo di accensione:	9 ns
Alias n. parte:	IPD220N06L3 G SP005559927

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET a canale N OptiMOS™ 3

I MOSFET a canale N OptiMOS™3 di Infineon Technologies presentano una bassa resistenza in stato attivo in un package senza piombo SuperSO8. I MOSFET OptiMOS 3 incrementano la densità di potenza fino al 50% in ambito industriale, di consumo e delle applicazioni di telecomunicazione. OptiMOS™ 3 è disponibile in MOSFET a canale N da 40 V, 60 V e 80 V in package SuperSO8 e Shrink SuperSO8 (S3O8). Rispetto ai package a schema transistor (TO) standard, il SuperSO8 aumenta la densità di potenza fino al 50 per cento.