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IPB175N20NM6ATMA1

Name: Infineon IPB175N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB175N20NM6ATMA
Price: 3.22 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-IPB175N20NM6ATMA

N. produttore:

IPB175N20NM6ATMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

IPB175N20NM6ATMA1 Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	3,22 €	3,22 €
	2,11 €	21,10 €
	1,47 €	147,00 €
	1,30 €	650,00 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-263-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	200 V
Id - corrente di drain continua:	61 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	15.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.5 V
Qg - Carica del gate:	31 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	203 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	OptiMOS
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	9.8 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	23 ns
Serie:	OptiMOS 6
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	23 ns
Tipico ritardo di accensione:	12 ns
Alias n. parte:	IPB175N20NM6 SP006070078

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Scheda dati

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza da 200V OptiMOS ™ 6

I MOSFET di potenza da 200V OptiMOS ™ 6 di Infineon Technologies sono MOSFET a canale N di livello normale disponibili in package PG-TO263-3, PG-TO220-3 e PG-HDSOP-16. Questi MOSFET presentano un eccellente prodotto carica di gate x RDS_(on) (FOM), una bassissima carica di recupero inverso (Q_rr) e una bassa resistenza in conduzione RDS_(on). I MOSFET OptiMOS™ 6 da 200 V funzionano a una temperatura di 175 °C. Questi MOSFET sono esenti da alogeni secondo la norma IEC61249‑2‑21 e sono classificati con un livello di sensibilità all'umidità (MSL 1) secondo gli standard J‑STD-020. I MOSFET da 200V OptiMOS™ 6 sono ideali per energie rinnovabili, controllo del motore, amplificatori audio e applicazioni industriali.