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IPA95R450PFD7XKSA1

Name: Infineon IPA95R450PFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPA95R450PFD7XKS
Price: 2.3 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-IPA95R450PFD7XKS

N. produttore:

IPA95R450PFD7XKSA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET LOW POWER_NEW

Scheda dati:

IPA95R450PFD7XKSA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	2,30 €	2,30 €
	1,14 €	11,40 €
	1,03 €	103,00 €
	0,825 €	412,50 €
	0,805 €	805,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220FP-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	950 V
Id - corrente di drain continua:	7.2 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	450 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.5 V
Qg - Carica del gate:	43 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	30 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	4.7 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	8.7 ns
Quantità colli di fabbrica:	500
Sottocategoria:	Transistors
Ritardo di spegnimento tipico:	45 ns
Tipico ritardo di accensione:	9 ns
Alias n. parte:	IPA95R450PFD7 SP005547011

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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