IPA95R130PFD7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPA95R130PFD7XKS
IPA95R130PFD7XKSA1

Produttore:

Descrizione:
MOSFET HIGH POWER_NEW

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Infineon
Categoria prodotto: MOSFET
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
950 V
13.9 A
130 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
141 nC
- 55 C
+ 150 C
33 W
Enhancement
Tube
Marchio: Infineon Technologies
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 3.6 ns
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 14 ns
Quantità colli di fabbrica: 500
Sottocategoria: Transistors
Ritardo di spegnimento tipico: 118 ns
Tipico ritardo di accensione: 25 ns
Alias n. parte: IPA95R130PFD7 SP005546999
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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET SJ PFD7 CoolMOS™ da 950 V

I MOSFET SJ PFD7 CoolMOS™ da 950 V di Infineon Technologies offrono tecnologie Super Junction (SJ). La tecnologia SJ è ideale per applicazioni SMPS industriali e di illuminazione incorporando le migliori prestazioni del settore con facilità d'uso all'avanguardia. Il PFDJ fornisce un diodo corpo ultrarapido integrato che consente l'uso in topologie risonanti con carica minima di recupero inverso (Qrr).