Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

IMYH200R024M1HXKSA1

Name: Infineon IMYH200R024M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMYH200R024M1HXK
Price: 37.14 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

726-IMYH200R024M1HXK

N. produttore:

IMYH200R024M1HXKSA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package

Scheda dati:

IMYH200R024M1HXKSA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Infineon Technologies IMYH200R024M1HXKSA1

A magazzino: 599

A magazzino:: 599

Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
In ordine:: 960

02/03/2026 previsto
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 26

settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	37,14 €	37,14 €
	32,27 €	322,70 €
	28,23 €	2.823,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	2 kV
Id - corrente di drain continua:	89 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	33 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.5 V
Qg - Carica del gate:	137 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	576 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	CoolSIC
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	16 ns
Transconduttanza diretta - Min:	20 S
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	11 ns
Quantità colli di fabbrica:	240
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	40 ns
Tipico ritardo di accensione:	19 ns
Alias n. parte:	IMYH200R024M1H SP005745284

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

IMYH200R024M1HXKSA1 Scheda dati (PDF)

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET CoolSiC™ 2000 V

I MOSFET CoolSiC ™ 2000 V di Infineon Technologies sono MOSFET a trincea in un package TO-247PLUS-4-HCC. Questi MOSFET sono progettati per fornire una maggiore densità di potenza senza sacrificare l’affidabilità del sistema, anche in condizioni di alta tensione e frequenza di commutazione esigenti. Le basse perdite di potenza della tecnologia CoolSiC™ forniscono una maggiore affidabilità utilizzando la tecnologia di interconnessione .XT e consentono la massima efficienza in varie applicazioni. I MOSFET 2000 V presentano una tensione di soglia del gate di riferimento di 4,5 V e offrono perdite di commutazione molto basse. Le applicazioni tipiche includono sistemi di accumulo di energia, carica EV, inverter di stringa e ottimizzatore di energia solare.