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IMYH200R012M1HXKSA1

Name: Infineon IMYH200R012M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMYH200R012M1HXK
Price: 59.97 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-IMYH200R012M1HXK

N. produttore:

IMYH200R012M1HXKSA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package

Scheda dati:

IMYH200R012M1HXKSA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	2 kV
Id - corrente di drain continua:	123 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	16.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.5 V
Qg - Carica del gate:	246 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	552 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	CoolSIC
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	MY
Paese di diffusione:	AT
Paese di origine:	AT
Tempo di caduta:	24 ns
Transconduttanza diretta - Min:	30 S
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	13 ns
Quantità colli di fabbrica:	240
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	50 ns
Tipico ritardo di accensione:	16 ns
Alias n. parte:	IMYH200R012M1H SP005427368

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET CoolSiC™ 2000 V

I MOSFET CoolSiC ™ 2000 V di Infineon Technologies sono MOSFET a trincea in un package TO-247PLUS-4-HCC. Questi MOSFET sono progettati per fornire una maggiore densità di potenza senza sacrificare l’affidabilità del sistema, anche in condizioni di alta tensione e frequenza di commutazione esigenti. Le basse perdite di potenza della tecnologia CoolSiC™ forniscono una maggiore affidabilità utilizzando la tecnologia di interconnessione .XT e consentono la massima efficienza in varie applicazioni. I MOSFET 2000 V presentano una tensione di soglia del gate di riferimento di 4,5 V e offrono perdite di commutazione molto basse. Le applicazioni tipiche includono sistemi di accumulo di energia, carica EV, inverter di stringa e ottimizzatore di energia solare.