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IMBG65R072M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG65R072M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG65R072M1HXTM
Price: 6.2 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-IMBG65R072M1HXTM

N. produttore:

IMBG65R072M1HXTMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Scheda dati:

IMBG65R072M1HXTMA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	6,20 €	6,20 €
	4,20 €	42,00 €
	3,15 €	315,00 €
	3,14 €	1.570,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)
	2,68 €	2.680,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	33 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	94 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 5 V, + 23 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	5.7 V
Qg - Carica del gate:	22 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	140 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	CoolSiC
Marchio:	Infineon Technologies
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Prodotto:	MOSFETs
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Serie:	CoolSiC 650V
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Alias n. parte:	IMBG65R072M1H SP005539178

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Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza a trincea CoolSiC™ M1 da 650 V

I MOSFET di potenza a trincea CoolSiC™ M1 da 650 V di Infineon Technologies combinano le potenti caratteristiche fisiche del carburo di silicio con caratteristiche uniche che aumentano le prestazioni, la robustezza e la facilità d’uso del dispositivo. I MOSFET CoolSiC M1 sono costruiti su un processo all’avanguardia dei semiconduttori a trincea ottimizzato per fornire le minori perdite di applicazione e la massima affidabilità di funzionamento . Adatti per temperature elevate e operazioni difficili, questi dispositivi consentono l’implementazione semplificata ed economica della massima efficienza di sistema.

MOSFET CoolSiC™ 650 V

I MOSFET CoolSiC™ 650V Infineon Technologies combinano la resistenza fisica del carburo di silicio con caratteristiche che amplificano le prestazioni, l'affidabilità e la facilità d'uso del dispositivo. Grazie al processo di semiconduttori a trincea all'avanguardia, il MOSFET CoolSiC™ offre le perdite più basse dell'applicazione e la massima affidabilità di funzionamento. CoolSiC è la soluzione ideale per l'uso in applicazioni ad alta temperatura e in ambienti difficili.