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IKW40N120T2

Name: Infineon IKW40N120T2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW40N120T2
Price: 6.48 EUR
Availability: Discontinued

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N. Mouser:

726-IKW40N120T2

N. produttore:

IKW40N120T2

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A

Ciclo di vita:

NRND:

Non consigliato per nuovi progetti.

Scheda dati:

IKW40N120T2 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	6,48 €	6,48 €
	4,58 €	45,80 €
	3,82 €	382,00 €
	3,02 €	1.449,60 €

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

IKW40N120T2FKSA1

Imballaggio:

Tube

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

6,57 €

Min:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	TO-247-3
Stile di montaggio:	Through Hole
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	1.2 kV
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.75 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	75 A
Pd - Dissipazione di potenza:	480 W
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	Trenchstop IGBT2
Confezione:	Tube
Marchio:	Infineon Technologies
Corrente di perdita gate-emettitore:	200 nA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	240
Sottocategoria:	IGBTs
Nome commerciale:	TRENCHSTOP
Alias n. parte:	IKW4N12T2XK SP000244962 IKW40N120T2FKSA1
Peso unità:	38 g

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Scheda dati

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Product Catalogs

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JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
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ECCN:: EAR99

IGBT 1200 V Gen8 International Rectifier

Gli IGBT 1200 V Gen8 di International Rectifier presentano la tecnologia di trench gate Field-Stop di ultima generazione di IR, fornita in package TO-247 standard del settore, per offrire performance insuperate nel settore per applicazioni industriali e di risparmio energetico. La tecnologia Gen8 offre caratteristiche di disattivazione più progressiva, ideali per applicazioni di comando motori, riducendo al minimo il dv/dt per ridurre le interferenze elettromagnetiche e la sovratensione, aumentando affidabilità e robustezza. Questi IGBT Gen8 hanno valori nominali di corrente da 8 A fino a 60 A con un valore tipico di VCE(ON) di 1,7 V, e un valore nominale di corto circuito di 10 µs per ridurre la dissipazione di potenza, il che si traduce una maggiore densità di potenza e robustezza. Utilizzando la tecnologia a wafer sottile, gli IGBT Gen8 1200 V offrono maggiore resistenza termica e una temperatura di giunzione massima fino a 175 °C.
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