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IKW25N120T2

Name: Infineon IKW25N120T2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW25N120T2
Price: 4.77 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-IKW25N120T2

N. produttore:

IKW25N120T2

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 25A

Ciclo di vita:

NRND:

Non consigliato per nuovi progetti.

Scheda dati:

IKW25N120T2 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	4,77 €	4,77 €
	2,96 €	29,60 €
	2,46 €	246,00 €
	2,12 €	1.017,60 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	TO-247-3
Stile di montaggio:	Through Hole
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	1.2 kV
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.7 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	50 A
Pd - Dissipazione di potenza:	349 W
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	Trenchstop IGBT4
Confezione:	Tube
Marchio:	Infineon Technologies
Corrente di perdita gate-emettitore:	200 nA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	240
Sottocategoria:	IGBTs
Nome commerciale:	TRENCHSTOP
Alias n. parte:	IKW25N12T2XK SP000244960 IKW25N120T2FKSA1
Peso unità:	38 g

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Scheda dati

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Product Catalogs

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

IGBT 1200 V Gen8 International Rectifier

Gli IGBT 1200 V Gen8 di International Rectifier presentano la tecnologia di trench gate Field-Stop di ultima generazione di IR, fornita in package TO-247 standard del settore, per offrire performance insuperate nel settore per applicazioni industriali e di risparmio energetico. La tecnologia Gen8 offre caratteristiche di disattivazione più progressiva, ideali per applicazioni di comando motori, riducendo al minimo il dv/dt per ridurre le interferenze elettromagnetiche e la sovratensione, aumentando affidabilità e robustezza. Questi IGBT Gen8 hanno valori nominali di corrente da 8 A fino a 60 A con un valore tipico di VCE(ON) di 1,7 V, e un valore nominale di corto circuito di 10 µs per ridurre la dissipazione di potenza, il che si traduce una maggiore densità di potenza e robustezza. Utilizzando la tecnologia a wafer sottile, gli IGBT Gen8 1200 V offrono maggiore resistenza termica e una temperatura di giunzione massima fino a 175 °C.
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