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IKW20N60T

Name: Infineon IKW20N60T
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW20N60T
Price: 3.17 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-IKW20N60T

N. produttore:

IKW20N60T

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A

Scheda dati:

IKW20N60T Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	3,17 €	3,17 €
	2,06 €	20,60 €
	1,62 €	162,00 €
	1,35 €	648,00 €
	1,16 €	1.392,00 €
	1,10 €	2.904,00 €

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

IKW20N60TFKSA1

Imballaggio:

Tube

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

2,98 €

Min:

Prodotto analogo

Produttore:

Infineon Technologies

N. produttore:

IKW20N60TFKSA1

Descrizione:

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A

Confronta con la parte attuale

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	TO-247-3
Stile di montaggio:	Through Hole
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	600 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.5 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	41 A
Pd - Dissipazione di potenza:	166 W
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	Trenchstop IGBT3
Confezione:	Tube
Marchio:	Infineon Technologies
Corrente di perdita gate-emettitore:	100 nA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	240
Sottocategoria:	IGBTs
Nome commerciale:	TRENCHSTOP
Alias n. parte:	SP000054886 IKW2N6TXK IKW20N60TFKSA1
Peso unità:	38 g

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Product Catalogs

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ECCN:: EAR99

300V to 1200V IGBTs

Infineon 300-1200V IGBTs have an extensive portfolio of IGBTs that achieves the highest performance for specific application requirements. The Infineon IGBT portfolio includes the new ultra-fast IRG7PH 1200V Trench IGBTs that offer higher system efficiency while cutting switching losses and delivering higher switching frequencies. Infineon IRG7PH ultra-fast 1200V IGBTs utilize thin wafer Field-Stop Trench technology that significantly reduces switching and conduction losses to deliver higher power density and greater efficiency at higher frequencies.