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IKP10N60T

Name: Infineon IKP10N60T
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKP10N60T
Price: 1.65 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-IKP10N60T

N. produttore:

IKP10N60T

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A

Ciclo di vita:

Fine vita:

la produzione sta per cessare.

Scheda dati:

IKP10N60T Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,65 €	1,65 €
	1,05 €	10,50 €
	0,733 €	73,30 €
	0,621 €	310,50 €
	0,519 €	519,00 €
	0,478 €	1.195,00 €
	0,453 €	2.265,00 €

Prodotto analogo

Produttore:

Infineon Technologies

N. produttore:

IKW20N60TFKSA1

Descrizione:

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A

Confronta con la parte attuale

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	TO-220-3
Stile di montaggio:	Through Hole
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	600 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.5 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	24 A
Pd - Dissipazione di potenza:	110 W
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	TRENCHSTOP IGBT
Confezione:	Tube
Marchio:	Infineon Technologies
Corrente di perdita gate-emettitore:	100 nA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	500
Sottocategoria:	IGBTs
Nome commerciale:	TRENCHSTOP
Alias n. parte:	SP000683062 IKP1N6TXK IKP10N60TXKSA1
Peso unità:	6 g

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IKP10N60T Scheda dati (PDF)

EOL

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

300V to 1200V IGBTs

Infineon 300-1200V IGBTs have an extensive portfolio of IGBTs that achieves the highest performance for specific application requirements. The Infineon IGBT portfolio includes the new ultra-fast IRG7PH 1200V Trench IGBTs that offer higher system efficiency while cutting switching losses and delivering higher switching frequencies. Infineon IRG7PH ultra-fast 1200V IGBTs utilize thin wafer Field-Stop Trench technology that significantly reduces switching and conduction losses to deliver higher power density and greater efficiency at higher frequencies.