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IGW15N120H3

Name: Infineon IGW15N120H3
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGW15N120H3
Price: 3.45 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-IGW15N120H3

N. produttore:

IGW15N120H3

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

IGBTs IGBT PRODUCTS

Scheda dati:

IGW15N120H3 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	3,45 €	3,45 €
	1,90 €	19,00 €
	1,56 €	156,00 €
	1,44 €	691,20 €
	1,22 €	1.464,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	TO-247-3
Stile di montaggio:	Through Hole
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	1.2 kV
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	2.05 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	30 A
Pd - Dissipazione di potenza:	217 W
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	HighSpeed 3
Confezione:	Tube
Marchio:	Infineon Technologies
Corrente di perdita gate-emettitore:	600 nA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	240
Sottocategoria:	IGBTs
Nome commerciale:	TRENCHSTOP
Alias n. parte:	SP000674430 IGW15N12H3XK IGW15N120H3FKSA1
Peso unità:	38 g

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Scheda dati

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Product Catalogs

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
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ECCN:: EAR99

High Speed Trench & Fieldstop IGBTs

Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs use TrenchStop™ and Fieldstop technology to provide superb switching performance, very low V_CEsat, and low EMI. Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs are ideal for uninterruptible power supplies applications. The IGW25N120H3 IGBT is recommended in combination with SiC Diode IDH15S120 and is also used for solar inverter applications. The IKW15N120H3, IKW30N60H3, and IKW20N60H3 IGBTs are each part of a high speed DuoPack and come with a very soft, fast recovery anti-parallel diode.