IGW15N120H3

Infineon Technologies
726-IGW15N120H3
IGW15N120H3

Produttore:

Descrizione:
IGBTs IGBT PRODUCTS

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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Infineon
Categoria prodotto: IGBTs
RoHS::  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.05 V
- 20 V, 20 V
30 A
217 W
- 40 C
+ 175 C
HighSpeed 3
Tube
Marchio: Infineon Technologies
Corrente di perdita gate-emettitore: 600 nA
Tipo di prodotto: IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica: 240
Sottocategoria: IGBTs
Nome commerciale: TRENCHSTOP
Alias n. parte: SP000674430 IGW15N12H3XK IGW15N120H3FKSA1
Peso unità: 38 g
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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

High Speed Trench & Fieldstop IGBTs

Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs use TrenchStop™ and Fieldstop technology to provide superb switching performance, very low VCEsat, and low EMI. Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs are ideal for uninterruptible power supplies applications. The IGW25N120H3 IGBT is recommended in combination with SiC Diode IDH15S120 and is also used for solar inverter applications. The IKW15N120H3, IKW30N60H3, and IKW20N60H3 IGBTs are each part of a high speed DuoPack and come with a very soft, fast recovery anti-parallel diode.