Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

IGLD65R055D2AUMA1

Name: Infineon IGLD65R055D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGLD65R055D2AUMA
Price: 5.82 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

726-IGLD65R055D2AUMA

N. produttore:

IGLD65R055D2AUMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

IGLD65R055D2AUMA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Infineon Technologies IGLD65R055D2AUMA1

A magazzino: 2.525

A magazzino:: 2.525 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 26 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	5,82 €	5,82 €
	4,26 €	42,60 €
	3,44 €	344,00 €
	3,06 €	1.530,00 €
	2,62 €	2.620,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	2,62 €	7.860,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PG-LSON-8
Polarità transistor:	HEMT
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	20 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	70 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.2 V
Qg - Carica del gate:	4.7 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	91 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	CoolGaN
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	14 ns
Sensibili all’umidità:	Yes
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Prodotto:	GaN Transistors
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Tempo di salita:	8 ns
Serie:	650 V G5
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	12 ns
Tipico ritardo di accensione:	9 ns
Alias n. parte:	IGLD65R055D2 SP005825087

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

IGLD65R055D2AUMA1 Scheda dati (PDF)

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistori CoolGaN™ G5 da 650 V

I transistori CoolGaN™ G5 da 650 V di Infineon Technologies presentano una tecnologia di transistor al nitruro di gallio (GaN) ad alta efficienza per la conversione di potenza. La famiglia G5 da 650 V è adatta alle sfide delle applicazioni di consumo, dei data center, industriali e solari. I transistori offrono un'efficienza e una densità di potenza di sistema migliorate, con una capacità di commutazione ultraveloce. La tecnologia CoolGaN offre soluzioni discrete e integrate progettate per migliorare le prestazioni complessive del sistema. I transistori CoolGaN 650 V G5 di Infineon Technologies consentono alte frequenze operative e riducono i livelli di EMI. I transistori sono ideali per la distribuzione di energia, alimentatori a commutazione (SMPS), telecomunicazioni e altre applicazioni industriali.