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IGI65D1414A3MSXUMA1

Name: Infineon IGI65D1414A3MSXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGI65D1414A3MSXU
Price: 6.1 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-IGI65D1414A3MSXU

N. produttore:

IGI65D1414A3MSXUMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

IGI65D1414A3MSXUMA1 Scheda dati (PDF)

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	6,10 €	6,10 €
	4,12 €	41,20 €
	3,07 €	307,00 €
	2,78 €	2.780,00 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	QFN-32
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	170 mOhms
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.6 V
Qg - Carica del gate:	1.8 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Dual
Paese di assemblaggio:	MY
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	AT
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Prodotto:	Transistors
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	2 N-Channel
Alias n. parte:	IGI65D1414A3MS SP005970004

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IGI65D1414A3MSXUMA1 Scheda dati (PDF)

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Transistori CoolGaN™ G5 da 650 V

I transistori CoolGaN™ G5 da 650 V di Infineon Technologies presentano una tecnologia di transistor al nitruro di gallio (GaN) ad alta efficienza per la conversione di potenza. La famiglia G5 da 650 V è adatta alle sfide delle applicazioni di consumo, dei data center, industriali e solari. I transistori offrono un'efficienza e una densità di potenza di sistema migliorate, con una capacità di commutazione ultraveloce. La tecnologia CoolGaN offre soluzioni discrete e integrate progettate per migliorare le prestazioni complessive del sistema. I transistori CoolGaN 650 V G5 di Infineon Technologies consentono alte frequenze operative e riducono i livelli di EMI. I transistori sono ideali per la distribuzione di energia, alimentatori a commutazione (SMPS), telecomunicazioni e altre applicazioni industriali.