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IGB070S10S1XTMA1

Name: Infineon IGB070S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGB070S10S1XTMA1
Price: 2.8 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-IGB070S10S1XTMA1

N. produttore:

IGB070S10S1XTMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

IGB070S10S1XTMA1 Scheda dati (PDF)

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	1,81 €	18,10 €
	1,33 €	133,00 €
	1,12 €	560,00 €
	1,01 €	1.010,00 €
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	38 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	7 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	6.5 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.9 V
Qg - Carica del gate:	6.1 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	23 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	CoolGaN
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Prodotto:	Transistors
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Serie:	60 V - 120 V G3
Quantità colli di fabbrica:	5000
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	P-Channel
Tipo:	CoolGaN
Alias n. parte:	IGB070S10S1 SP006039129

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistor CoolGaN™ 100 V G3

I transistor CoolGaN™ G3 da 100 V di Infineon Technologies sono transistor di potenza in modalità di potenziamento (e-mode) normalmente spenti, in un alloggiamento compatto. Questi transistor sono caratterizzati da una bassa resistenza in stato attivo, che li rende la scelta ideale per prestazioni affidabili in applicazioni esigenti ad alta corrente e alta tensione. I transistor CoolGaN sono progettati per migliorare la gestione termica. Le applicazioni tipiche includono soluzioni di amplificazione audio, fotovoltaico, infrastrutture di telecomunicazione, e-Mobility, robotica e droni.

Transistori G3 CoolGaN™

I transistori G3 CoolGaN™ di Infineon Technologies sono progettati per fornire prestazioni superiori in applicazioni che richiedono elevata densità di potenza. Questi transistori presentano una resistenza in stato attivo molto bassa, consentendo una conversione di potenza efficiente e perdite di energia ridotte. Disponibili in quattro opzioni di tensione (60 V, 80 V, 100 V o 120 V), i transistori CoolGaN G3 di Infineon offrono una commutazione ultraveloce con una carica gate/uscita estremamente bassa. I transistori sono alloggiati in compatti pacchetti PQFN, che migliorano la gestione termica e supportano il raffreddamento su entrambi i lati, garantendo un funzionamento affidabile anche in condizioni impegnative. Queste caratteristiche rendono i transistori CoolGaN G3 la scelta migliore per applicazioni come le telecomunicazioni, gli alimentatori per data center e i sistemi di alimentazione industriale.