IDW20G65C5XKSA1

Infineon Technologies
726-IDW20G65C5XKSA1
IDW20G65C5XKSA1

Produttore:

Descrizione:
Diodi Schottky SiC SIC DIODES

Scheda dati:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Infineon
Categoria prodotto: Diodi Schottky SiC
RoHS::  
Through Hole
TO-247-3
Single
20 A
650 V
1.5 V
103 A
1.1 uA
- 55 C
+ 175 C
XDW20G65
Tube
Marchio: Infineon Technologies
Pd - Dissipazione di potenza: 112 W
Tipo di prodotto: SiC Schottky Diodes
Quantità colli di fabbrica: 240
Sottocategoria: Diodes & Rectifiers
Nome commerciale: CoolSiC
Vr - Tensione inversa: 650 V
Alias n. parte: IDW20G65C5 SP001632900
Peso unità: 6 g
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TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

Prova la differenza di potenza

Infineon è il leader nel mercato dei semiconduttori di potenza. Con oltre 20 anni di esperienza e come pioniere dell'innovazione con la rivoluzionaria tecnologia MOSFET a supergiunzione CoolMOS™, Infineon continua a essere all'avanguardia nel settore della gestione energetica. I clienti possono scegliere - in base ai requisiti individuali di progettazione/di sistema - dalla più ampia gamma di MOSFET SJ in silicio del settore. Infineon è uno dei pochi produttori in grado di padroneggiare tutte e tre le principali tecnologie di alimentazione, quindi può integrare questo assortimento con innovative offerte WBG (Wide Band Gap). Questa offerta comprende MOSFET CoolSiC™a base di carburo di silicio, i diodi corrispondenti e HEMT CoolGaN ™ a base di nitruro di gallio. Sono disponibili varie soluzioni, da quelle caratterizzate da prezzi eccezionali a quelle con una robustezza senza pari, fino ai dispositivi migliori della categoria. Ciò consente ai clienti di creare applicazioni più efficienti, ecologiche e sostenibili.

MOSFET e diodi CoolSiC™ al carburo di silicio

I MOSFET e i diodi CoolSiC™ al carburo di silicio di Infineon costituiscono un portafoglio in grado di soddisfare le necessità di generazione, trasmissione e consumo dell'energia più intelligenti ed efficienti. Il portafoglio CoolSiC risponde alle esigenze dei clienti in termini di riduzione delle dimensioni e dei costi in sistemi a potenza media-alta, pur soddisfacendo i più elevati standard di qualità, per garantire lunga durata ed affidabilità ai sistemi. CoolSiC consente ai clienti di raggiungere gli obiettivi di efficienza più rigorosi, riducendo i costi operativi del sistema. La gamma comprende diodi Schottky CoolSiC, moduli ibridi CoolSiC, moduli MOSFET CoolSiC e CI gate driver EiceDRIVER™ per il pilotaggio di dispositivi al carburo di silicio.

Switch Mode Power Supplies (SMPS)

Infineon Technologies bietet eine breite Palette von kostengünstigen Produkten für Verbraucherschaltnetzteile (SMPS). Das beinhaltet Hochspannungs-MOSFETs, Steuerungs-ICs und Siliziumkarbid-Dioden für PFC- und PWM-Stufen sowie Niederspannungs-MOSFETs für die Synchrongleichrichtung. Mit diesen Produkten hält Infineon nicht nur mit dem kontinuierlich ansteigenden Energieverbrauch Schritt, sondern erfüllt zudem die wichtige Forderung nach Energieeinsparungen. Die neue CoolMOS™ 600V C6-Familie ist besonders vielseitig und kombiniert Effizienz und einen günstigen Preis, genau wie die SiC-Dioden der 3. Generation. Zur Synchrongleichrichtung bietet die OptiMOS™-Serie einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand und niedrige Kapazitäten. Die neuen Steuer-ICs von Infineon unterstützen Topologien wie PFC, quasi-resonante Sperrwandler und LLC.
Weitere Informationen

Switch Mode Power Supplies - High Power Topology

Infineon Technologies Switch Mode Power Supplies - High Power Topology is suitable for power applications above 400W. Following the front end stage of an AC/DC rectifier, a DC/DC power converter is required to step down the bus voltage and provide a galvanically isolated and tightly regulated DC output (12V, 24V, 48V). While a wide range of isolated topologies are available, the phase-shifted full-bridge converter is more suitable for higher power applications for reasons such as its inherent zero-voltage Switching for the primary side switches.

Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Qc x Vf).

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