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IAUZN10S7N078ATMA1

Name: Infineon IAUZN10S7N078ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IAUZN10S7N078ATM
Price: 1.93 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-IAUZN10S7N078ATM

N. produttore:

IAUZN10S7N078ATMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

IAUZN10S7N078ATMA1 Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,93 €	1,93 €
	1,23 €	12,30 €
	0,853 €	85,30 €
	0,722 €	361,00 €
	0,604 €	604,00 €
	0,557 €	1.392,50 €
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	0,523 €	2.615,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PG-TDSON-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	76 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	7.8 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.2 V
Qg - Carica del gate:	22.2 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	94 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	OptiMOS
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	5 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	3.6 ns
Serie:	OptiMOS 7
Quantità colli di fabbrica:	5000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	10.4 ns
Tipico ritardo di accensione:	4.7 ns
Alias n. parte:	IAUZN10S7N078 SP006030405

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 per il settore automobilistico

Infineon Technologies presenta la sua tecnologia leader OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs con resistenza allo stato attivo notevolmente bassa, perdite di commutazione ridotte e maggiore robustezza. OptiMOS 7 ridefinisce il panorama dei MOSFET di potenza per il settore automobilistico. La tecnologia MOSFET OptiMOS 7 di Infineon stabilisce un nuovo standard per le applicazioni automobilistiche, consentendo prestazioni ed efficienza, affrontando al contempo le sfide dei sistemi automobilistici di domani.

MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 da 80 V per applicazioni automotive

I MOSFET di potenza per autoveicoli OptiMOS™ 7 80V di Infineon Technologies sono costruiti con la tecnologia dei semiconduttori di potenza all'avanguardia di Infineon. Questi MOSFET sono progettati specificamente per garantire le elevate prestazioni, la qualità e la robustezza necessarie per le applicazioni automobilistiche più esigenti. I MOSFET OptiMOS™ 7 80 V operano con una tensione di gate sorgente di ±20 V_GS e un intervallo di temperatura da -55 °C a 175 °C. Questi MOSFET sono disponibili nel package SMD SSO10T 5x7mm2 con raffreddamento superiore. Il package SSO10T aiuta gli utenti a ottenere miglioramenti nel raffreddamento e nella densità di potenza. I MOSFET di potenza da 80 V sono classificati MSL-1, conformi alla normativa RoHS e testati al 100% contro le valanghe. Questi MOSFET di potenza sono ideali per applicazioni automobilistiche generiche.