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IAUZN08S7N046ATMA1

Name: Infineon IAUZN08S7N046ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IAUZN08S7N046ATM
Price: 2.06 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-IAUZN08S7N046ATM

N. produttore:

IAUZN08S7N046ATMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

IAUZN08S7N046ATMA1 Scheda dati (PDF)

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	2,06 €	2,06 €
	1,32 €	13,20 €
	0,912 €	91,20 €
	0,77 €	385,00 €
	0,668 €	668,00 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PG-TDSON-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	80 V
Id - corrente di drain continua:	99 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	4.6 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.2 V
Qg - Carica del gate:	27.2 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	94 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	OptiMOS
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	MY
Paese di diffusione:	AT
Paese di origine:	AT
Tempo di caduta:	7 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	3.7 ns
Serie:	OptiMOS 7
Quantità colli di fabbrica:	5000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	12.2 ns
Tipico ritardo di accensione:	6.4 ns
Alias n. parte:	IAUZN08S7N046 SP006018213

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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