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HT8MD5HTB1

Name: ROHM Semiconductor HT8MD5HTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8MD5HTB1
Price: 1.67 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-HT8MD5HTB1

N. produttore:

HT8MD5HTB1

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET HSMT8 NPCH 80V 3.5A

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,67 €	1,67 €
	1,07 €	10,70 €
	0,735 €	73,50 €
	0,624 €	312,00 €
	0,544 €	544,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,462 €	1.386,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	HSMT-8
Polarità transistor:	N-Channel, P-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	80 V, 80 V
Id - corrente di drain continua:	9 A, 8.5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	112 mOhms, 191 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V, 4 V
Qg - Carica del gate:	3.1 nC, 17.2 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	13 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	4.6 ns, 33 ns
Transconduttanza diretta - Min:	1.8 S, 3 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	5 ns, 7 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	12 ns, 74 ns
Tipico ritardo di accensione:	5.8 ns, 9.4 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET a doppio canale per piccoli segnali

I MOSFET a doppio canale per piccoli segnali di ROHM Semiconductor sono caratterizzati da una bassa resistenza allo stato attivo e da una commutazione rapida. Questi MOSFET sono conformi alla direttiva RoHS e includono una placcatura senza piombo. I MOSFET a doppio canale funzionano nell'intervallo di temperatura da -55°C a 150°C. Questi MOSFET sono utilizzati negli azionamenti motori e nelle applicazioni di commutazione.