HT8KF6HTB1

ROHM Semiconductor
755-HT8KF6HTB1
HT8KF6HTB1

Produttore:

Descrizione:
MOSFET HSMT8 150V DUAL 7.A

Ciclo di vita:
Nuovo prodotto:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
ROHM Semiconductor
Categoria prodotto: MOSFET
Si
SMD/SMT
HSMT-8
N-Channel
2 Channel
150 V
7 A
214 mOhms
20 V
4 V
6.4 nC
- 55 C
+ 150 C
14 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marchio: ROHM Semiconductor
Configurazione: Dual
Paese di assemblaggio: Not Available
Paese di diffusione: Not Available
Paese di origine: CN
Tempo di caduta: 6.6 ns
Transconduttanza diretta - Min: 2.5 S
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 9.1 ns
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 2 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 19 ns
Tipico ritardo di accensione: 11 ns
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Attributi selezionati: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET a doppio canale per piccoli segnali

 I MOSFET a doppio canale per piccoli segnali di ROHM Semiconductor sono caratterizzati da una bassa resistenza allo stato attivo e da una commutazione rapida. Questi MOSFET sono conformi alla direttiva RoHS e includono una placcatura senza piombo. I MOSFET a doppio canale funzionano nell'intervallo di temperatura da -55°C a 150°C. Questi MOSFET sono utilizzati negli azionamenti motori e nelle applicazioni di commutazione.