Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

HT8KF6HTB1

Name: ROHM Semiconductor HT8KF6HTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8KF6HTB1
Price: 2.1 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

755-HT8KF6HTB1

N. produttore:

HT8KF6HTB1

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET HSMT8 150V DUAL 7.A

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

HT8KF6HTB1 Scheda dati

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su ROHM Semiconductor HT8KF6HTB1

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	HSMT-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	150 V
Id - corrente di drain continua:	7 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	214 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	6.4 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	14 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	6.6 ns
Transconduttanza diretta - Min:	2.5 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	9.1 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	2 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	19 ns
Tipico ritardo di accensione:	11 ns

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

HT8KF6HTB1 Scheda dati

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET a doppio canale per piccoli segnali

I MOSFET a doppio canale per piccoli segnali di ROHM Semiconductor sono caratterizzati da una bassa resistenza allo stato attivo e da una commutazione rapida. Questi MOSFET sono conformi alla direttiva RoHS e includono una placcatura senza piombo. I MOSFET a doppio canale funzionano nell'intervallo di temperatura da -55°C a 150°C. Questi MOSFET sono utilizzati negli azionamenti motori e nelle applicazioni di commutazione.

PRODOTTI IN PRIMO PIANO

ROHM SEMICONDUCTOR

MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V

Opzioni di package compatte e a basso profilo che offrono un'eccellente dissipazione del calore.

Maggiori informazioni

MOSFET di potenza a canale P RH7G03BBJFRA

Questo MOSFET ha una tensione nominale V_DSS di -40V e una corrente nominale I_D (V_DS= -10V) di ±22A.

Maggiori informazioni

MOSFET di potenza a canale P RJ1P10BAT

Questo MOSFET ha una tensione V_DSS nominale di -100V e una corrente I_D nominale (V_DS = 10V) di ±105A.

Maggiori informazioni

MOSFET di potenza automotive canale N RD3x

MOSFET qualificati secondo AEC-Q101 caratterizzati da bassa tensione diretta, tempo di recupero rapido ed elevata capacità di sopportare picchi di corrente.

Maggiori informazioni

MOSFET a canale P RQxAT

Confezionamento con montaggio superficiale caratterizzato da bassa resistenza ON e testato al 100% per Rg e UIS.

Maggiori informazioni

A magazzino: 3.000

A magazzino:: 3.000 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 18 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	2,10 €	2,10 €
	1,02 €	10,20 €
	0,92 €	92,00 €
	0,733 €	366,50 €
	0,71 €	710,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,652 €	1.956,00 €
	0,628 €	3.768,00 €

HT8KF6HTB1

Produttore: ROHM Semiconductor

Descrizione: MOSFET HSMT8 150V DUAL 7.A

Caratteristiche tecniche

Documenti (1)

Scheda dati

Documenti ambientali

Conformità commerciale e del prodotto

Maggiori informazioni

MOSFET a doppio canale per piccoli segnali

PRODOTTI IN PRIMO PIANO ROHM SEMICONDUCTOR

A magazzino: 3.000

Prezzi (EUR)

QuickView

Si è verificato un errore imprevisto.

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET HSMT8 150V DUAL 7.A

PRODOTTI IN PRIMO PIANO

ROHM SEMICONDUCTOR