Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

GS66508B-TR

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

499-GS66508B-TR

N. produttore:

GS66508B-TR

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS

Ciclo di vita:

Fine vita:

la produzione sta per cessare.

Scheda dati:

GS66508B-TR Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Infineon Technologies GS66508B-TR

Avviso di spedizione:

Attualmente Mouser non vende questo prodotto nella tua regione.

Disponibilità

A magazzino:: Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	GaN FETs
Limitazioni per la spedizione:	Attualmente Mouser non vende questo prodotto nella tua regione.
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	30 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	63 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 7 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.6 V
Qg - Carica del gate:	6.1 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	GaNPX
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Frequenza di lavoro massima:	10 MHz
Frequenza di lavoro minima:	0 Hz
Sensibili all’umidità:	Yes
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Serie:	GS665xx
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	E-Mode

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

GS66508B-TR Scheda dati (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2025-7-22 (PDF)

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistor di potenza in silicio ad arricchimento GS665xx

I transistor ad alta mobilità elettronica (E-HEMT) ad arricchimento GS665xx di Infineon Technologies presentano alta corrente, alta tensione di rottura e alta frequenza di commutazione. Questi transistor di potenza includono il layout delle celle con matrice ad alta corrente e alta resa, mentre il piccolo package GaNPX^® consente bassa induttanza e bassa resistenza termica. Questi transistor di potenza offrono una resistenza termica molto bassa da giunzione a involucro per applicazioni ad alta potenza. I transistor di potenza in silicio ad arricchimento GS665xx sono disponibili come transistor raffreddati sul lato inferiore o sul lato superiore. Questi transistor di potenza forniscono un die FOM ultrabasso, capacità di corrente inversa e perdita di recupero inverso pari a zero.