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GE12MPS06A

Name: Navitas Semiconductor GE12MPS06A
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE12MPS06A
Price: 1.9 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

905-GE12MPS06A

N. produttore:

GE12MPS06A

Produttore:

GeneSiC Semiconductor

Descrizione:

Diodi Schottky SiC 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

GE12MPS06A Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Navitas Semiconductor
Categoria prodotto:	Diodi Schottky SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-220-2
Configurazione:	Single
If - Corrente diretta:	12 A
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva:	650 V
Serie:	SiC Schottky MPS
Confezione:	Tube
Marchio:	GeneSiC Semiconductor
Tipo di prodotto:	SiC Schottky Diodes
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensione inversa:	650 V

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TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.