Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

GE10MPS06E-TR

Name: Navitas Semiconductor GE10MPS06E-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE10MPS06E-TR
Price: 2.37 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

905-GE10MPS06E-TR

N. produttore:

GE10MPS06E-TR

Produttore:

GeneSiC Semiconductor

Descrizione:

Diodi Schottky SiC 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

GE10MPS06E-TR Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su GeneSiC Semiconductor GE10MPS06E-TR

A magazzino: 2.099

A magazzino:: 2.099 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 16 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	2,37 €	2,37 €
	2,09 €	20,90 €
	1,99 €	49,75 €
	1,84 €	184,00 €
	1,75 €	437,50 €
	1,69 €	845,00 €
	1,62 €	1.620,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	1,54 €	3.850,00 €
	1,50 €	7.500,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Navitas Semiconductor
Categoria prodotto:	Diodi Schottky SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-252-2
Configurazione:	Single
If - Corrente diretta:	10 A
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva:	650 V
Vf - Tensione diretta:	1.25 V
Ifsm - Sovracorrente diretta:	55 A
Ir - Corrente inversa:	1 uA
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	SiC Schottky MPS
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	GeneSiC Semiconductor
Pd - Dissipazione di potenza:	191 W
Tipo di prodotto:	SiC Schottky Diodes
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensione inversa:	650 V

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

GE10MPS06E-TR Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.