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GE06MPS06Q-TR

Name: Navitas Semiconductor GE06MPS06Q-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE06MPS06Q-TR
Price: 1.07 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

905-GE06MPS06Q-TR

N. produttore:

GE06MPS06Q-TR

Produttore:

GeneSiC Semiconductor

Descrizione:

Diodi Schottky SiC 650V 6A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

GE06MPS06Q-TR Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Navitas Semiconductor
Categoria prodotto:	Diodi Schottky SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	QFN-8
Configurazione:	Single
If - Corrente diretta:	6 A
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva:	650 V
Vf - Tensione diretta:	1.25 V
Ifsm - Sovracorrente diretta:	33 A
Ir - Corrente inversa:	1 uA
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	SiC Schottky MPS
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	GeneSiC Semiconductor
Pd - Dissipazione di potenza:	133 W
Tipo di prodotto:	SiC Schottky Diodes
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensione inversa:	650 V

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Scheda dati

GE06MPS06Q-TR Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.