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GE04MPS06E-TR

Name: Navitas Semiconductor GE04MPS06E-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE04MPS06E-TR
Price: 1.42 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

905-GE04MPS06E-TR

N. produttore:

GE04MPS06E-TR

Produttore:

GeneSiC Semiconductor

Descrizione:

Diodi Schottky SiC 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

GE04MPS06E-TR Scheda dati (PDF)

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,42 €	1,42 €
	1,23 €	12,30 €
	1,16 €	29,00 €
	1,07 €	107,00 €
	1,01 €	252,50 €
	0,98 €	490,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,832 €	2.080,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Navitas Semiconductor
Categoria prodotto:	Diodi Schottky SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-252-2
Configurazione:	Single
If - Corrente diretta:	4 A
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva:	650 V
Vf - Tensione diretta:	1.25 V
Ifsm - Sovracorrente diretta:	22 A
Ir - Corrente inversa:	1 uA
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	SiC Schottky MPS
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	GeneSiC Semiconductor
Pd - Dissipazione di potenza:	101 W
Tipo di prodotto:	SiC Schottky Diodes
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensione inversa:	650 V

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Scheda dati

GE04MPS06E-TR Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.