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GCMX080A120B2H1P

Name: SemiQ GCMX080A120B2H1P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX080A120B2H1P
Price: 35.74 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

148-GCMX080A120B2H1P

N. produttore:

GCMX080A120B2H1P

Produttore:

SemiQ

Descrizione:

Moduli MOSFET SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module

Scheda dati:

GCMX080A120B2H1P Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	35,74 €	35,74 €
	30,17 €	301,70 €
	30,16 €	3.016,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 40)
	30,17 €	1.206,80 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	SemiQ
Categoria prodotto:	Moduli MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	SiC
Stile di montaggio:	Press Fit
Polarità transistor:	N-Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	27 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	77 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.8 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	119 W
Serie:	GCMX
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	SemiQ
Tempo di caduta:	4 ns
Tipo di prodotto:	MOSFET Modules
Tempo di salita:	3 ns
Quantità colli di fabbrica:	40
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Full Bridge
Ritardo di spegnimento tipico:	18 ns
Tipico ritardo di accensione:	10 ns

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Scheda dati

GCMX080A120B2H1P Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Moduli a ponte completo MOSFET SiC GCMX da 1.200 V

I moduli a ponte completo MOSFET SiC GCMX da 1200 V SemiQ offrono basse perdite di commutazione, bassa resistenza termica da giunzione a involucro e montaggio molto robusto e semplice. Questi moduli montano direttamente il dissipatore di calore (package isolato) e includono un riferimento Kelvin per un funzionamento stabile. Tutti i componenti sono stati rigorosamente testati per resistere a tensioni superiori a 1350 V. La caratteristica distintiva di questi moduli è la robusta tensione drain-source di 1200 V. I moduli a ponte completo GCMX operano a una temperatura di giunzione di 175°C e sono conformi a RoHS. Le applicazioni tipiche includono inverter fotovoltaici, caricabatterie, sistemi di accumulo di energia e convertitori CC-CC ad alta tensione.