Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

GCMX020A120B3H1P

Name: SemiQ GCMX020A120B3H1P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX020A120B3H1P
Price: 60.18 EUR
Availability: OutOfStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

148-GCMX020A120B3H1P

N. produttore:

GCMX020A120B3H1P

Produttore:

SemiQ

Descrizione:

Moduli MOSFET SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module

Scheda dati:

GCMX020A120B3H1P Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su SemiQ GCMX020A120B3H1P

Disponibilità

A magazzino:: Non disponibile a magazzino

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: Richiesta offerta consegna

Immetti la quantità:

Minimo: 40 Multipli: 40

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Per questo prodotto la spedizione è GRATUITA

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastrati completa (ordinare in multipli di 40)
	60,18 €	2.407,20 €
	57,06 €	6.847,20 €
1.000	Offerta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	SemiQ
Categoria prodotto:	Moduli MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	SiC
Stile di montaggio:	Screw Mount
Polarità transistor:	N-Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	93 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	18.1 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.8 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	300 W
Serie:	GCMX
Confezione:	Reel
Marchio:	SemiQ
Tempo di caduta:	18 ns
Tipo di prodotto:	MOSFET Modules
Tempo di salita:	10 ns
Quantità colli di fabbrica:	40
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Full Bridge
Ritardo di spegnimento tipico:	46 ns
Tipico ritardo di accensione:	26 ns

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

GCMX020A120B3H1P Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Moduli a ponte completo MOSFET SiC GCMX da 1.200 V

I moduli a ponte completo MOSFET SiC GCMX da 1200 V SemiQ offrono basse perdite di commutazione, bassa resistenza termica da giunzione a involucro e montaggio molto robusto e semplice. Questi moduli montano direttamente il dissipatore di calore (package isolato) e includono un riferimento Kelvin per un funzionamento stabile. Tutti i componenti sono stati rigorosamente testati per resistere a tensioni superiori a 1350 V. La caratteristica distintiva di questi moduli è la robusta tensione drain-source di 1200 V. I moduli a ponte completo GCMX operano a una temperatura di giunzione di 175°C e sono conformi a RoHS. Le applicazioni tipiche includono inverter fotovoltaici, caricabatterie, sistemi di accumulo di energia e convertitori CC-CC ad alta tensione.