Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

GCMX020A120B2B1P

Name: SemiQ GCMX020A120B2B1P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX020A120B2B1P
Price: 47.13 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

148-GCMX020A120B2B1P

N. produttore:

GCMX020A120B2B1P

Produttore:

SemiQ

Descrizione:

Moduli MOSFET SiC 1200V 20mohm MOSFET Half-Bridge Module

Scheda dati:

GCMX020A120B2B1P Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su SemiQ GCMX020A120B2B1P

A magazzino: 40

A magazzino:: 40 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 3 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	47,13 €	47,13 €
	37,44 €	374,40 €
	34,58 €	3.458,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 40)
	37,44 €	1.497,60 €
500	Offerta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	SemiQ
Categoria prodotto:	Moduli MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	SiC
Stile di montaggio:	Screw Mount
Polarità transistor:	N-Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	102 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	19 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.8 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	385 W
Serie:	GCMX
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	SemiQ
Tempo di caduta:	16 ns
Tipo di prodotto:	MOSFET Modules
Tempo di salita:	8 ns
Quantità colli di fabbrica:	40
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Half-Bridge
Ritardo di spegnimento tipico:	42 ns
Tipico ritardo di accensione:	22 ns

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

GCMX020A120B2B1P Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Moduli a mezzo ponte MOSFET SiC 1.200 V GCMX

I moduli a semiponte MOSFET SiC GCMX da 1200 V SemiQ offrono basse perdite di commutazione, bassa resistenza termica da giunzione a involucro e montaggio molto robusto e semplice. Questi moduli montano direttamente il dissipatore di calore (package isolato) e includono un riferimento Kelvin per un funzionamento stabile. Tutti i componenti sono stati rigorosamente testati per resistere a tensioni superiori a 1350 V. La caratteristica di spicco di questi moduli è la robusta tensione drain-source di 1200 V. I moduli a semiponte GCMX operano a una temperatura di giunzione di 175°C e sono conformi a RoHS. Le applicazioni tipiche includono inverter fotovoltaici, caricabatterie, sistemi di accumulo di energia e convertitori CC-CC ad alta tensione.