GCMX010A120B3H1P

SemiQ
148-GCMX010A120B3H1P
GCMX010A120B3H1P

Produttore:

Descrizione:
Moduli MOSFET 1200V, 10mohm SiC MOSFET Full Bridge Module

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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
SemiQ
Categoria prodotto: Moduli MOSFET
RoHS::  
SiC
Press Fit
B3
N-Channel
4 Channel
1.2 kV
201 A
8.9 mOhms
- 5 V, + 20 V
4 V
- 40 C
+ 150 C
600 W
GCMX
Bulk
Marchio: SemiQ
Tempo di caduta: 15 ns
Altezza: 15.2 mm
Lunghezza: 62.8 mm
Prodotto: Modules
Tipo di prodotto: MOSFET Modules
Tempo di salita: 9 ns
Quantità colli di fabbrica: 20
Sottocategoria: Discrete and Power Modules
Tipo: Full Bridge Module
Ritardo di spegnimento tipico: 50 ns
Tipico ritardo di accensione: 32 ns
Vf - Tensione diretta: 3.9 V
Larghezza: 56.7 mm
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Attributi selezionati: 0

USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

Moduli a ponte completo MOSFET SiC GCMX da 1.200 V

I moduli a ponte completo MOSFET SiC GCMX da 1200 V SemiQ offrono basse perdite di commutazione, bassa resistenza termica da giunzione a involucro e montaggio molto robusto e semplice. Questi moduli montano direttamente il dissipatore di calore (package isolato) e includono un riferimento Kelvin per un funzionamento stabile. Tutti i componenti sono stati rigorosamente testati per resistere a tensioni superiori a 1350 V. La caratteristica distintiva di questi moduli è la robusta tensione drain-source di 1200 V. I moduli a ponte completo GCMX operano a una temperatura di giunzione di 175°C e sono conformi a RoHS. Le applicazioni tipiche includono inverter fotovoltaici, caricabatterie, sistemi di accumulo di energia e convertitori CC-CC ad alta tensione.