GCMX010A120B3B1P

SemiQ
148-GCMX010A120B3B1P
GCMX010A120B3B1P

Produttore:

Descrizione:
Moduli MOSFET SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
SemiQ
Categoria prodotto: Moduli MOSFET
RoHS::  
SiC
Screw Mount
N-Channel
1.2 kV
173 A
9 mOhms
- 5 V, + 20 V
1.8 V
- 40 C
+ 175 C
577 W
GCMX
Reel
Marchio: SemiQ
Tempo di caduta: 28 ns
Tipo di prodotto: MOSFET Modules
Tempo di salita: 17 ns
Quantità colli di fabbrica: 40
Sottocategoria: Discrete and Power Modules
Tipo: Half-Bridge
Ritardo di spegnimento tipico: 86 ns
Tipico ritardo di accensione: 43 ns
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Moduli a mezzo ponte MOSFET SiC 1.200 V GCMX

I moduli a semiponte MOSFET SiC GCMX da 1200 V SemiQ offrono basse perdite di commutazione, bassa resistenza termica da giunzione a involucro e montaggio molto robusto e semplice. Questi moduli montano direttamente il dissipatore di calore (package isolato) e includono un riferimento Kelvin per un funzionamento stabile. Tutti i componenti sono stati rigorosamente testati per resistere a tensioni superiori a 1350 V. La caratteristica di spicco di questi moduli è la robusta tensione drain-source di 1200 V. I moduli a semiponte GCMX operano a una temperatura di giunzione di 175°C e sono conformi a RoHS. Le applicazioni tipiche includono inverter fotovoltaici, caricabatterie, sistemi di accumulo di energia e convertitori CC-CC ad alta tensione.