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GCMX005A120S3B1-N

Name: SemiQ GCMX005A120S3B1-N
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX005A120S3B1N
Price: 149.67 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

148-GCMX005A120S3B1N

N. produttore:

GCMX005A120S3B1-N

Produttore:

SemiQ

Descrizione:

Moduli MOSFET 1200V, 5mohm SiC MOSFET Half Bridge Module

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

GCMX005A120S3B1-N Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	SemiQ
Categoria prodotto:	Moduli MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	SiC
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	S3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	424 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	7 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1.531 kW
Serie:	GCMX
Confezione:	Bulk
Marchio:	SemiQ
Tempo di caduta:	24 ns
Altezza:	30.9 mm
Lunghezza:	106.4 mm
Prodotto:	Modules
Tipo di prodotto:	MOSFET Modules
Tempo di salita:	18 ns
Quantità colli di fabbrica:	15
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Half Bridge Module
Ritardo di spegnimento tipico:	114 ns
Tipico ritardo di accensione:	65 ns
Vf - Tensione diretta:	4 V
Larghezza:	61.4 mm

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Scheda dati

GCMX005A120S3B1-N Scheda dati (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Moduli a mezzo ponte MOSFET SiC 1.200 V GCMX

I moduli a semiponte MOSFET SiC GCMX da 1200 V SemiQ offrono basse perdite di commutazione, bassa resistenza termica da giunzione a involucro e montaggio molto robusto e semplice. Questi moduli montano direttamente il dissipatore di calore (package isolato) e includono un riferimento Kelvin per un funzionamento stabile. Tutti i componenti sono stati rigorosamente testati per resistere a tensioni superiori a 1350 V. La caratteristica di spicco di questi moduli è la robusta tensione drain-source di 1200 V. I moduli a semiponte GCMX operano a una temperatura di giunzione di 175°C e sono conformi a RoHS. Le applicazioni tipiche includono inverter fotovoltaici, caricabatterie, sistemi di accumulo di energia e convertitori CC-CC ad alta tensione.

GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET

SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET offers enhanced design flexibility and performance in current applications. The QSiC MOSFET operates with near-zero switching loss, increasing efficiency while reducing heat dissipation and the need for large heatsinks. Standing at 26.3mm in height with an industry-standard 62mm footprint, this module addresses the size, weight, and power demands of challenging applications. SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC MOSFET features a 400A current rating and is suitable for induction heaters, welding equipment, and uninterruptible power supplies (UPS).