GCMS020B120S1-E1

Name: SemiQ GCMS020B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS020B120S1-E1
Price: 24.31 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

148-GCMS020B120S1-E1

N. produttore:

GCMS020B120S1-E1

Produttore:

SemiQ

Descrizione:

Moduli a semiconduttori discreti SiC 1200V 20mohm MOSFET & 50A SBD SOT-227

Scheda dati:

GCMS020B120S1-E1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Produttore:	SemiQ
Categoria prodotto:	Moduli a semiconduttori discreti
RoHS::
Prodotto:	MOSFET-SiC SBD Modules
Tipo:	Silicon Carbide (SiC) Module
Tecnologia:	SiC
Vf - Tensione diretta:	1.49 V
Vgs - Tensione gate-source:	- 5 V, + 10 V
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	SOT-227-4
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	GCMS
Confezione:	Tube
Marchio:	SemiQ
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	PH
Tempo di caduta:	25 ns
Id - corrente di drain continua:	113 A
Pd - Dissipazione di potenza:	395 W
Tipo di prodotto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	28 mOhms
Tempo di salita:	8 ns
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Discrete Semiconductor Modules
Polarità transistor:	N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	46 ns
Tipico ritardo di accensione:	25 ns
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V

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Scheda dati

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USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.