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FS1000R08A7P3BHPSA1

Name: Infineon FS1000R08A7P3BHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS1000R08A7P3BHP
Price: 438.93 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-FS1000R08A7P3BHP

N. produttore:

FS1000R08A7P3BHPSA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

Moduli MOSFET HybridPACK Drive G2 module

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

FS1000R08A7P3BHPSA1 Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	Moduli MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	HybridPACK
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	6.65 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	750 W
Confezione:	Tray
Marchio:	Infineon Technologies
Tempo di caduta:	91 ns
Prodotto:	Modules
Tipo di prodotto:	MOSFET Modules
Tempo di salita:	50 ns
Quantità colli di fabbrica:	6
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Ritardo di spegnimento tipico:	929 ns
Tipico ritardo di accensione:	222 ns
Vf - Tensione diretta:	1.76 V
Vr - Tensione inversa:	750 V
Alias n. parte:	FS1000R08A7P3B SP005913585

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Scheda dati

FS1000R08A7P3BHPSA1 Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Moduli HybridPACK™ Drive G2

I moduli Drive G2 HybridPACK™ di Infineon Technologies sono moduli di potenza compatti progettati per la trazione di veicoli ibrido ed elettrici. Il modulo G2 di Infineon Technologies offre livelli di prestazioni scalabili utilizzando tecnologie Si o SiC e chipset diversi, mantenendo le stesse dimensioni del modulo. Presentati nel 2017 con la tecnologia al silicio EDT2, sono stati ottimizzati per l'efficienza nella guida reale. Nel 2021 è stata presentata una versione CoolSiC™, che offre una maggiore densità delle celle e migliori prestazioni. Nel 2023 è stata lanciata la seconda generazione, HybridPACK Drive G2, con le tecnologie EDT3 (IGBT al silicio) e CoolSiC™ G2 MOSFET, che offrono facilità d'uso e opzioni di integrazione per i sensori, consentendo prestazioni fino a 300 kW nelle classi 750 V e 1,200 V.