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FP75R12N2T7B11BPSA2

Name: Infineon FP75R12N2T7B11BPSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FP75R12N2T7B11B2
Price: 71.93 EUR
Availability: OutOfStock

N. Mouser:

726-FP75R12N2T7B11B2

N. produttore:

FP75R12N2T7B11BPSA2

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

Moduli IGBT 1200 V, 75 A PIM IGBT module

Scheda dati:

FP75R12N2T7B11BPSA2 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	71,93 €	1.078,95 €
	61,88 €	6.497,40 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	Moduli IGBT
RoHS::
Prodotto:	IGBT Silicon Modules
Configurazione:	3-Phase Inverter
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	1.2 kV
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.55 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	75 A
Corrente di perdita gate-emettitore:	100 nA
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Confezione:	Tray
Marchio:	Infineon Technologies
Tipo di prodotto:	IGBT Modules
Quantità colli di fabbrica:	15
Sottocategoria:	IGBTs
Tecnologia:	Si
Alias n. parte:	FP75R12N2T7_B11 SP005597717 FP75R12N2T7B11BPSA1

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CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

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I raddrizzatori di ingresso trifase PIM da 1200 V di Infineon Technologies sono moduli IGBT PIM trifase EconoPIM™ 2 1200 V, 100 A. I raddrizzatori presentano IGBT7 TRENCHSTOP™, diodo Emitter Controlled 7 e NTC. Il PIM (Power Integrated Module) con l'integrazione di raddrizzatore e chopper del freno consente di risparmiare sui costi del sistema.