FNB40560

onsemi
512-FNB40560
FNB40560

Produttore:

Descrizione:
Moduli di potenza intelligenti - IPM Smart Power Module Motion-SPM

Ciclo di vita:
NRND:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: Moduli di potenza intelligenti - IPM
RoHS::  
REACH - SVHC:
Marchio: onsemi
Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 600 V
Temperatura di lavoro massima: + 150 C
Temperatura di lavoro minima: - 40 C
Stile di montaggio: Through Hole
Package/involucro: SPM26-AA
Confezione: Tube
Pd - Dissipazione di potenza: 29 W
Tipo di prodotto: Intelligent Power Modules - IPMs
Serie: SPM 45
Quantità colli di fabbrica: 12
Sottocategoria: Discrete and Power Modules
Tecnologia: Si
Tipo: 3-Phase
Peso unità: 16,712 g
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Moduli di alimentazione intelligenti (IPM)

I moduli di potenza intelligenti (IPM) di onsemi sono interruttori di potenza a stato solido altamente integrati che integrano circuiti gate drive basati su IGBT o MOSFET in un unico modulo.   Gli IPM includono anche la protezione dei sistemi di alimentazione da problemi come cortocircuiti circuiti, sottotensioni e temperature estreme.  Gli IPM che utilizzano gli IGBT da 600 V si utilizzano in applicazioni di consumo e industriali per pilotare ventole, pompe e compressori. Gli IPM che utilizzano MOSFET da 40 V e 80 V sono sempre più utilizzati nelle applicazioni per il settore automobilistico per il comando di ventole e pompe elettriche. 

Motion SPM® 45 Modules

onsemi Motion Smart Power Modules (SPM®) 45 are advanced motion modules that provide a very compact and high-performance inverter solution for AC Motor Drives. These modules combine low-loss short-circuit rated IGBTs and optimized gate drivers in a fully isolated package to deliver a simple and robust design. The SPM 45 modules offer high-speed built-in High Voltage Integrated Circuit (HVIC) that provides optocoupler-less single-supply IGBT gate driving capability.