FGH40T120SQDNL4

onsemi
863-FGH40T120SQDNL4
FGH40T120SQDNL4

Produttore:

Descrizione:
IGBTs IGBT 1200V 40A UFS

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: IGBTs
RoHS::  
Si
TO-247-4
Through Hole
Single
1.2 kV
1.78 V
- 20 V, 20 V
160 A
454 W
- 55 C
+ 175 C
FGH40T120SQDNL4
Tube
Marchio: onsemi
Corrente di perdita gate-emettitore: 200 nA
Tipo di prodotto: IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica: 450
Sottocategoria: IGBTs
Peso unità: 9,195 g
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

1200V Field Stop Trench IGBTs

onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs feature minimized conduction losses by having a VCE(SAT) of 1.8V, lower than previous fast switching NPT IGBTs. The 1200V field stop trench IGBTs target hard switching industrial applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and welders. The 1200V field stop trench IGBT series operates at high switching frequencies, and is 100% tested for clamped inductive switching at current levels of four times the rated current to guarantee a larger safe operating area. onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs are available in TO-247-3,  TO-247-4, and DPAK-3 packages, and are offered in 15A, 25A, and 40A ratings.

Soluzioni per la conservazione dell'energia

I sistemi di accumulo di energia (ESS) di onsemi immagazzinano l'elettricità proveniente da varie fonti energetiche, come carbone, nucleare, eolica e solare, in diverse forme, tra cui batterie (elettrochimiche), aria compressa (meccanica) e sali fusi (termici). Questa soluzione si concentra sui sistemi di conservazione dell'energia della batteria collegati ai sistemi di inverter solare.