FFSP3065A

onsemi
512-FFSP3065A
FFSP3065A

Produttore:

Descrizione:
Diodi Schottky SiC 650V SiC SBD 30A

Scheda dati:
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onsemi
Categoria prodotto: Diodi Schottky SiC
RoHS::  
Through Hole
TO-220-2
Single
30 A
650 V
1.5 V
150 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSP3065A
Tube
Marchio: onsemi
Pd - Dissipazione di potenza: 240 W
Tipo di prodotto: SiC Schottky Diodes
Quantità colli di fabbrica: 50
Sottocategoria: Diodes & Rectifiers
Nome commerciale: EliteSiC
Vr - Tensione inversa: 650 V
Peso unità: 2,160 g
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Attributi selezionati: 0

Codici di conformità
TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Cina
Paese di diffusione:
Repubblica di Corea
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

FFSP SiC Schottky Diodes

onsemi FFSP SiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes are designed to leverage the advantages of Silicon Carbide over Silicon (Si) devices. FFSP SiC Schottky Diodes feature drastically higher forward surge capability, lower reverse leakage, and no reverse recovery current. These SiC Schottky Diodes also feature temperature-independent switching characteristics and excellent thermal performance. This results in improved system efficiency, faster-operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices

onsemi Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The EliteSiC portfolio includes 650V, 1200V, and 1700V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.

Diodi Schottky al carburo di silicio

I diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) di onsemi forniscono prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità per dispositivi basati su silicio. Questi diodi offrono zero reverse recovery, commutazione indipendente dalla temperatura ed eccellenti prestazioni termiche. Tra i vantaggi di sistema ci sono la frequenza di funzionamento rapida ad alta efficienza, una maggiore densità di potenza, basse EMI e dimensioni e costi di sistema ridotti.  onsemi offre dispositivi da 650 V e 1200 V in una gamma di opzioni di package e di corrente, ideali per le progettazioni di sistemi di alimentazione di prossima generazione.

Solutions for Energy Infrastructure

onsemi Solutions for Energy Infrastructure address the landscape for energy generation, distribution, and storage that is rapidly evolving to fulfill targets set by government policy and increasing consumption. Heightened efficiency targets, reductions of CO2 emissions, and a focus on renewable and clean energy are key factors in this Energy Infrastructure Evolution. onsemi offers a comprehensive portfolio of energy efficient solutions to serve the demanding needs of high-power applications including Silicon Carbide (SiC) Diodes, Intelligent Power Modules, and Current Sense Amplifiers.

Diodi EliteSiC D1

I diodi EliteSiC D1 di  onsemi sono una soluzione versatile e ad alte prestazioni progettata per le moderne applicazioni elettroniche di alimentazione. D1 di   onsemi presenta tensioni nominali di 650 V, 1.200 V e 1.700 V. Questi diodi offrono la flessibilità necessaria per soddisfare i vari requisiti di progettazione. Caratterizzati da diversi package, come D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2 e TO-247-3, i diodi EliteSiC D1 offrono ai progettisti opzioni per ottimizzare lo spazio sulla scheda e le prestazioni termiche.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

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